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更新时间：2021-03-01 21:18:40 点击：366次

产品简介
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技术参数

产品型号

SUPRA™ 40/40VP

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基本规格

产品类型

返回顶部扫描电镜

品牌

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产地

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技术参数

分辨率

返回顶部 1.3 nm @ 15 kV 2.1 nm @ 1 kV 5.0 nm @ 0.1 kV 2.0 nm @ 30 kV（VP模式）

放大倍数

返回顶部 12 - 900,000x

加速电压

返回顶部 0.1 - 30 kV

电子枪类型

返回顶部热场发射型

图片格式

返回顶部图象处理：7种积分和平均模式

其他信息

产品简介

仪器简介：

SUPRA™系列产品配备有经过改进的第三代GEMINI®镜筒、概念新颖的样品台、智能化硬件控制板和新型高效率的透镜内二次电子探测器。
SUPRA™系列场发射扫描电子显微镜是卡尔蔡司半导体事业部的纳米技术系统部向市场推出的功能最多的场发射扫描电子显微镜。具有当前最先进的仪器所具有的所有特征：如在图像质量一流时的超高分辨率、工作电压切换方便、出色的束流稳定性、全分析型样品室、通过基于Windows® XP的SmartSEM™控制软件实现简便的操作等显著特点。在研究和发展的应用中、失效分析和质量保证等方面，SUPRA™系列场发射扫描电子显微镜可提供迅速的、重复性好的、高可靠性的结果。
SUPRA™系列的多种仪器提供了全面的成像解决方案，可满足半导体、材料分析、药品制造和生命科学等领域中苛刻的应用要求。对于不导电样品，采用专利可变压力（VP）技术的增强型可变压力二次电子探测器（VPSE）可以得到一流的图像和分析结果。GEMINI®镜筒具有无与伦比的成像能力，尤其是在工作电压低于1kV时成像能力尤为出色，这就使得SUPRA™成为适合所有纳米科学应用的成像工具。

技术参数：


分辨率 SUPRA™ 40/40VP	1.3 nm @ 15 kV 2.1 nm @ 1 kV 5.0 nm @ 0.1 kV 2.0 nm @ 30 kV（VP模式）
分辨率 SUPRA™ 55/55 VP 及 60/60 VP	1.0 nm @ 15 kV 1.7 nm @ 1 kV 4.0 nm @ 0.1 kV 2.0 nm @ 30 kV（VP模式）
加速电压	0.1 - 30 kV
束流	4 pA - 10 nA（可选配20 nA）
放大倍数	12 - 900,000x
电子枪	热场发射型
VP真空度	2 - 133 Pa
标准探测器	In-lens二次电子探测器与样品室内ET探测器 VP型号采用VPSE探测器
图象处理	7种积分和平均模式
系统控制	基于Windows®XP的SmartSEM™

SUPRA™ 40/40VP
是SUPRA™系列中使用最多的产品，具有大型样品台，VP工作模式，尤其适合于失效分析、过程控制和低温应用。

SUPRA™ 55/55VP
SUPRA™系列中多功能的产品，具有超高分辨率与全面分析应用的能力。

WDS系列
适用于SUPRA™ 55、SUPRA™ 55 VP及ULTRA55

SUPRA™ 60/60VP
拥有大样品室以及6英寸超优中心（super eucentric）样品台和8英寸样品预抽室，适合对硅片进行全面的分析，也非常适合需要检查大型样品的用户。

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应用范围

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用户数

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技术创新

 在整个电压范围内的超高分辨率，  电压范围最低至0.1 kV，所需调整极少,  高束流，高稳定性，  高效In-lens二次电子检测器，可实现高分辨率的表面成像，  增强型VPSE探测器，可实现不导电试样的成像  基于Windows® XP的SmartSEM™控制软件，操作简便

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